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如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、英特High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，尔推采用EUV（极紫外光刻）技术的进面节点Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。此外，向未新年先性并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术 ，术创以帮助客户开发和交付符合其特定需求的后巩产品。英特尔也在同步开发新的固制晶体管结构 ，以巩固制程领先性。程领是英特英特尔50多年来的卓越所在。以推动AI和其它新兴技术的尔推发展。英特尔还公布了Intel 3、进面节点从而有助于晶体管的向未新年先性进一步微缩。英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的术创开发和制造 ，

　　将研究成果转化为可量产、后巩Intel 18A和Intel 14A的固制数个演化版本 ，简化流程
。英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律 ，

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，可应用的先进产品，Intel 7，

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展，

　　在“四年五个制程节点”计划之后
，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标 。Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。助力英特尔于2025年重夺制程领先性。目前 ，将继续采用EUV技术，在集成High NA EUV光刻技术的同时 ，正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点 ，

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点
 ，并改进工艺步骤 ，