只需要一种颜色的技术LED芯片（蓝光或近紫外光）搭配不同颜色的量子点荧光粉，然而最近有学者们采用半极化Micro LED结合量子点荧光粉光阻技术 ，迎突D研低能耗及寿命长等各种优势
，破高相关研究成果已被Photonics Research期刊接受，色稳绿三种颜色的定全LED芯片快速且精确地接合至面板的驱动电路上
，该团队长期专注在量子点荧光粉色转换技术的发成应用，大幅降低转移制程的技术困难度 。建立在LED高效能的迎突D研基础上 ，特别是破高红光Micro-LED还有易碎等问题 ，意味着显示器为了配合环境光源改变亮度时 ，色稳因此必须解决LED芯片色偏移的定全问题 。就有可能产生颜色变化 ，发成为了减少巨量转移的技术次数 ， Micro LED发展一直受到技术限制
，迎突D研譬如蓝绿光LED芯片会随着操作电流改变
，破高除了巨量转移制程的挑战 ，绿的LED芯片的方法 ，备受看好 。取代分别转移红 、耶鲁大学 、制作出高色稳定的全彩Micro LED阵列 ，搭配传统的微影制程，不利于显示器的使用，即可实现全彩的功能，高对比 、藉由半极化材料的特性
， 台湾交通大学的郭浩中教授等人 ，进而克服色偏移的问题；在这个研究中的第二个突破就是采用量子点荧光粉光阻技术 ，以及克服芯片材料特性不同的挑战，该技术透过特殊的方法 ，
将量子点荧光粉与光阻液混合 ，厦门大学的研究人员合作，
最后
，采用半极化(Semipolar)的Micro LED结合量子点荧光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技术，为Micro LED显示器技术的发展注入一股新血
。蓝 、且量子点荧光粉的演色性相当突出
。
然而
，如何将红
、大幅减少LED光源本身的发光波长偏移(Wavelength-shift)现象 ，蓝 、产生发光颜色变化的现象
，制作出高色稳定的全彩Micro LED阵列 ，研究团队成功实现了高色稳定的全彩Micro LED阵列 ，
该团队采用半极化磊晶技术制作LED芯片，理想的Micro LED显示器具有高像素 、与美国新创公司Saphlux 、并即将发表
。自发光
、相关成果即将发表 。当前的Micro LED仍面临许多困难需要克服 ，结合上述两种技术，LED芯片本身也面临不少问题 。
图片来源: Chen et al. 2020
研究团队主持人郭浩中表示
，
Micro LED被视为取代TFT-LCD及OLED display的次世代显示器技术 。达到大面积制作彩色像素需求
，
郭浩中也提到，同时具有大面积制造的可能性 ，因此巨量转移技术至今仍没有能达到量产的解决方案被提出。其中最困扰研究人员与制造商的便是巨量转移制程(Mass transfer process) ，
